SSD 2TB Samsung 980 Pro MLC V-NAND NVMe PCIe Gen 4.0x4 7000MBs/5100MBs - MZ-V8P2T0B/AM

Código: MZ-V8P2T0BAM Marca:
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DESEMPENHO SSD NEXT-LEVEL PCIe 4.0 NVMe
Liberte o poder do SSD Samsung 980 PRO para a sua computação do próximo nível. Aproveitando a interface PCIe 4.0, o 980 PRO oferece o dobro da taxa de transferência de dados do PCIe 3.0 enquanto é compatível com versões anteriores para PCIe 3.0 para maior versatilidade.

VELOCIDADE MÁXIMA
Equipado com o controlador Elpis personalizado da Samsung para SSD PCIe 4.0, o 980 PRO é otimizado para velocidade. Ele oferece extraordinárias velocidades de leitura e escrita, tornando-se 2 vezes mais rápido do que os SSDs PCIe 3.0 e 12,7 vezes mais rápido do que os SSDs SATA.

A COMBINAÇÃO VENCEDORA
Projetado para jogadores dedicados e utilizadores experientes em tecnologia, o 980 PRO oferece largura de banda de alto desempenho e taxa de transferência para aplicativos pesados em jogos, gráficos, análise de dados e muito mais.

EFICIENTE FORMATO SSD M.2
O 980 PRO vem num formato compacto M.2 2280, que pode ser facilmente conectado a desktops e laptops para máxima flexibilidade de design de placa. A drive é adequada para a construção de sistemas de computação de alto desempenho devido à sua eficiência energética otimizada.

CONTROLO TÉRMICO FIÁVEL
SSDs de alto desempenho geralmente requerem controlo térmico de alto desempenho. Para garantir um desempenho estável, o 980 PRO usa revestimento de níquel para ajudar a gerir o nível de calor do controlador e um rótulo dissipador de calor para fornecer controlo térmico eficaz do chip NAND.

SOFTWARE SAMSUNG MAGICIAN
Desbloqueie todo o poder do 980 PRO com as ferramentas de otimização intuitivas e avançadas do Samsung Magician. Monitorize a integridade da unidade, otimize o desempenho, proteja dados valiosos e receba atualizações importantes.

  • Especificações:
    • Capacidade: 2 TB
    • Formato: M.2 2280
    • Interface: PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
    • Cache: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
    • Controladora: Samsung Elpis
    • NAND: Samsung V-NAND 3-bit MLC
    • Velocidade Sequencial Leitura: Até 7,000 MB/s
    • Velocidade Sequencial Escrita: Até 5,100 MB/s
    • Leitura Aleatória 4kb (QD32): Até 1,000,000 IOPS
    • Escrita Aleatória 4kb (QD32): Até 1,000,000 IOPS
    • TBW: 1200 TBW
 
 

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